在电子工程系教学楼中厅项目展示区，有这样一个项目——VODMOSFET器件版图设计与工艺实现。在这块小小的芯片上，凝聚着我校2011级电子工程系学生胡一帆和陈乐同学对专业知识的理解、对梦想的追逐与坚持。

什么叫光刻工艺呢？光刻工艺是半导体产业工艺流程中最重要的一项工艺，利用强光将半导体材料部分刻蚀，可以实现光刻孔的形成，场区的划分等步骤。利用事先设计好的光刻掩膜板，将图形转移到半导体表面。

该项目尽可能实现器件功能的最优效果，根据公式W=IU，利用控制输入电压U，放大输出电流I，从而放大功率，做成耐压500伏特、稳定输出电流10安培。

胡一帆和陈乐同学解释道，在500V电压下，器件可以正常工作，但是他们的器件击穿电压优化到了550V，也就是说正常工作电压为500V，继续加大电压，还可以工作，但会有些失真，当电压超过550V，器件击穿损坏。在正常工作的前提下，器件的输出电流稳定在10A，因为器件结构有一定数量的器件单胞并联而成，每个单胞输出电流为mA级，最后的输出电流为各个单胞的输出电流总和，最后的总输出电流为10A。

在放大功率的同时，他们将芯片体积尽量缩小，通过将6次光刻所用到的图形转移到晶片上形成的版图光刻。与以前的光刻工艺相比，VDMOSFET版图光刻工艺最大的亮点是考量了多种因素，通过控制氧化层厚度缩短开关响应时间，加入边缘场电保护电路。芯片面积缩小到了3.723平方毫米，打个比方来说就是比一个螺丝钉还要小！这使得集成电路整体尺寸缩小，更方便应用于小型数字电子设备的生产，使构架嵌入式等系统的物理平台的尺寸大大减小，例如手机等电子设备，将为人们的日常生活带来极大的便利。

实现这样的成果，两位学生经历了很多挑战。项目分析过程中需要用到十到二十个重要参数，每个参数都要经过复杂的公式推导，而这些参数是环环相扣相互影响的，这就需要研发者必须有过硬的基础知识和很高的数学理解能力。

胡一帆同学说：“在研发过程中经常捉襟见肘，哪怕一个小数点的错误也要重新来过。苦闷是不可避免的，也曾想过放弃，但是为了梦想，我们凭着热情和坚持克服了困难，突破了自我，完成了这个项目。”他负责VDMOSFET版图光刻工艺项目的前期设计与分析。

他们的这个项目花费了一个月时间，设计到了结构的设计、器件特性的分析、版图的设计与制造等多方面知识。在很多的高校，VDMOS器件的特性研究是在研究生阶段才涉及到的。现在，这一项目获得的辽宁省博士流动基金会的支持与肯定。

“作为两个本科生，这个已经涉及到硕士学识范围的项目也让二人感到了自己的不足。” 陈乐说，“希望能对半导体领域有一个更深层次的理解，对器件特性有一个更为深入的分析。”他负责中期的版图设计，边缘场电保护电路等。两个人同时负责后期的生产过程和实践。

施敏，是半导体研究领域的泰斗，曾被多次提名诺贝尔奖，是胡一帆和陈乐心中的偶像和目标。为着这一个梦想，两人在征途上不断的前进，这也是他们的动力。“从施老的身上，我们学习到了要把知识融会贯通，多多创新，并有着十二万分的热情，才能真正的做出属于自己的项目。”陈乐说。

对于项目未来的发展方向，胡一帆希望更多的学弟学妹了解半导体并把热情投入的其中，希望未来会尝试更加新颖的器件，使其更优化，应用到更广泛的领域中。

创意来源于对生活的观察，从创意变成真实的作品却要跨越重重阻碍。在东软校园中，有一批热爱幻想并且执著于将创意变成现实的学子，在他们的作品中我们可以看到他们对于未来生活、对历史文化的理解与感悟，还可以看到在创新实践的路上他们的坚持与探索。