首页 >人才培养 >教学资源 >师资

宋文斌

 文章来源:本站原创  责任编辑:赖婉芸  发布时间:2016-09-12 A+A-

宋文斌

个人简介

教师姓名:宋文斌

职称:副教授

研究方向:微纳MOS器件结构和器件模型研究

产业背景:

2000年-2003年 :中国电子科技集团第47所合作完成高压VDMOSFET产品设计与生产

2003年-2005年 :西安微电子技术研究所 合作完成0.35u SOI SRAM存储器工艺研究

取得成绩

一、参与项目情况

1、参与项目:“纳米尺度硅集成电路器件与工艺基础研究”(973项目);

2、参与项目:“亚50纳米器件的关键工艺基础研究和器件制备”(973项目);                                                                                                                                                                

3、负责项目:“SOI MOS器件的极低功耗结构设计及其性能研究”(辽宁省科技厅项目);

4、参与项目:“嵌入式存储器的测试及可测性设计研究”(辽宁省教育厅项目);

5、参与项目:“在《高级数字系统设计与验证》课程中运用CDIO的工程教育思想的探索与实践”(辽宁省高等教育教学改革项目)

6、参与项目:“辽宁省微系统重点实验室”(辽宁省科技厅项目);

7、负责项目:“大连东软信息学院-英特尔微电子工程实践教育中心” (辽宁省教育厅项目);

二、发表论文与专利情况

1、A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations(Vol.30,No.2 February 2009.Journal of Semiconductors)       

2、Improvement on SOI DTMOSFET Structure(Vol139, No.2 Apr. 2009 .Microelectronics)

3、Novel Body-Contact Structure Technology for Partially Depleted SOI MOSFET(Vol.33 No.11 November 2008 .Semiconductor Technology)

4、Narrow Channel Effect of PD MOSFETs with LOCOS Isolation(Vol . 30 No. 5 Oct . 2007. Chinese Journal of Electron Devices)

5、Influence of silic ide on the ESD protection in SO I NMOSFETs(Vol.14,No.6 Dec. 2008 . Journal of Functional Materals and Devices)

6、一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法(发明专利:ZL200810116043.0)。

 打印本页  关闭本页  返回顶部